تجهیزات پوشش یون خالص

تجهیزات پوشش یون خالص عمدتاً سه فناوری را ادغام می کند: فناوری پوشش یون خالص (PIC)، فناوری تمیز کردن پرتو یونی با انرژی بالا (IONBEAM) و فناوری SPUTTER مگنترون (SPUTTER) و فناوری هسته منحصر به فرد آن از منبع پوشش یون خالص. سیستم تصفیه الکترومغناطیسی کارآمد و سیستم اسکن الکترومغناطیسی برای فیلتر کردن موثر ناخالصی ها مانند ذرات خنثی و خوشه های یون ذرات بزرگ استفاده می شود، خلوص پرتو پلاسما را تا حد زیادی بهبود می بخشد، فیلم را متراکم تر، سختی بالاتر، مقاومت در برابر سایش و مقاومت در برابر خوردگی می کند. تجهیزات پوشش یون خالص را می توان با لایه های فوق الماس-مانند تا{3}}C با ضخامت های بین چند صد نانومتر تا بیش از بیست میکرون آبکاری کرد.

تجهیزات پوشش یون خالص》فیلتر الکترومغناطیسی کارآمد را اتخاذ می کند، می تواند ذرات و ناخالصی ها را به طور موثر فیلتر کند، طراحی خنک کننده آب نوآورانه، اتلاف گرما کارآمدتر است.

بیان با استفاده از فناوری پوشش یونی خالص، فرآیند پوشش{0}در دمای پایین، فرآیند پوشش زیر 150 درجه کنترل می شود که می تواند از تنش حرارتی و تغییر شکل بستر جلوگیری کند.

express طراحی جدید منبع قوس، استفاده از آخرین پیشرفت تکنولوژیکی، قابلیت اطمینان طولانی مدت منبع قوس را تا حد زیادی بهبود می بخشد، زمان نگهداری را کوتاه می کند.

تجهیزات پوشش یون خالص》با انواع منابع کندوپاش مگنترون می توانند راه حل های تجربی مختلفی را برای تحقیقات علمی و تأیید فرآیند ارائه دهند.

بیان فاز الماس (پیوند SP3) در لایه فیلم آماده شده می تواند به بیش از 75٪ برسد و خواص فیزیکی و شیمیایی آن بسیار شبیه الماس است و فیلم دارای سختی بسیار بالایی است.

》A series of excellent features, such as >5000HV (>50GPa)، ضریب اصطکاک بسیار کم (<0.1), can greatly improve the service life of coating products;

express سیستم عامل فرآیند هوشمند خودکار طراحی شده-خود قابلیت ویرایش فرمول و فراخوانی فرآیند جامع و راحت را ارائه می‌کند، مجهز به سیستم نظارت بر پارامترهای زمان واقعی-که امکان کنترل از راه دور آنلاین را فراهم می‌کند.