بررسی اجمالی محصول

 

IAE-سری یون-تجهیزات لایه نازک تبخیر با کمک تبخیر، رسوب فیزیکی بخار (PVD) را با بمباران پرتو یونی در زمان واقعی یکپارچه می‌کند. با هدایت یون‌های پرانرژی بر روی بستر در طول تبخیر پرتوهای حرارتی یا الکترونی{4}}، سیستم حرکت حرکتی را به آداتوم‌های متراکم منتقل می‌کند و ریزساختار لایه در حال رشد را بازسازی می‌کند.


این انتقال انرژی جنبشی فضاهای خالی ستونی را از بین می برد، جذب رطوبت را سرکوب می کند و ضریب شکست را در برابر تغییرات رطوبت محیط قفل می کند. این پلت فرم برای عملکرد مداوم چند شیفتی در خطوط تولید نوری و نیمه هادی ساخته شده است.

 
  • یون{0}}تجهیزات تبخیر خلاء به کمک
    سیستم تبخیر خلاء با کمک یون، منابع تبخیر حرارتی یا پرتو الکترونی{2} با خلاء بالا را با منبع یونی کافمن-یا انتهایی{4} ادغام می‌کند. با بمباران فیلم در حال رشد با گاز یونیزه شده (Ar یا O2) در طی...
    مشاهده بیشتر
  • یون-سیستم رسوب لایه نازک به کمک
    سیستم رسوب دهی لایه نازک به کمک یون-پرتو/تبخیر حرارتی با یک منبع یونی از نوع انتهایی{4}هال یا کافمن-چند{1}جیب-را یکپارچه می‌کند. در طی رسوب بخار فیزیکی (PVD)، بمباران یونی پرانرژی، تکانه را...
    مشاهده بیشتر
  • تجهیزات تبخیر به کمک پرتو یونی
    سیستم IBAE پرتو الکترونی یا تبخیر حرارتی را با منبع یونی پرتو گسترده- یکپارچه ترکیب می‌کند. بمباران یونی همزمان در طول رشد فیلم، انرژی جنبشی را به آداتوم‌های متراکم منتقل می‌کند، ریزساختارهای...
    مشاهده بیشتر
  • یون{0}}تجهیزات رسوب لایه نازک به کمک
    تجهیزات ته‌نشینی لایه نازک سری IA-سری یون-تجهیزات حرارتی پرتو الکترون- را با منبع یون کافمن یا انتهای{3}}هال ادغام می‌کند. بمباران یونی پرانرژی (ترکیب آرگون/اکسیژن) در طی رسوب‌گذاری، تکانه را به...
    مشاهده بیشتر
  • سیستم لایه نازک به کمک تبخیر یونی-
    سیستم لایه نازک با کمک تبخیر یونی (IAE) رسوب فیزیکی بخار (PVD) را با بمباران پرتوی یونی پر انرژی ادغام می کند. در طول تبخیر پرتوهای حرارتی یا الکترونی، یک منبع یونی کمکی کافمن یا انتهایی...
    مشاهده بیشتر
  • یون-تجهیزات لایه نازک به کمک تبخیر
    سیستم صنعتی-گرید یون-سیستم تبخیر کمکی (IAE) که تبخیر چند{2}}الکترون جیبی- را با یک منبع پرتو یونی پرانرژی یکپارچه می‌کند (پیکربندی End{4}Hall یا Kaufman). بمباران یونی زمانی واقعی، حرکت جنبشی را...
    مشاهده بیشتر
 
مشخصات فنی

 

پارامتر

مشخصات

فشار پایه نهایی

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)

منابع تبخیر

تفنگ پرتو E-چند جیبی (4 × 15cc تا 40cc) و منابع حرارتی مقاومتی

نوع منبع یونی

بدون شبکه-هال / کافمن- منبع یون نوع (ولتاژ پرتو: 50 - 1500 ولت، جریان یون: 0.1 - 3 A)

کنترل ضخامت فیلم

میکروبالانس کریستال کوارتز (QCM) + سیستم نظارت نوری (OMS)، دقت ± 0.1 نانومتر

تثبیت بستر

ثابت چرخش سیاره، شعاع گنبد سفارشی برای هندسه بستر

گرمایش بستر

آرایه بخاری تابشی، تا 350 درجه با یکنواختی PID 2 ± درجه

معماری کنترل

PLC + کامپیوتر صنعتی، اجرای خودکار دستور العمل، ثبت اطلاعات مطابق با SECS/GEM

 

فرآیند رسوب به کمک یون-

 

تولید بخار:

مواد از بوته e{0}}پرتو یا قایق حرارتی با نرخ‌های رسوب کنترل‌شده (۰٫۱ تا ۲٫۰ نانومتر بر ثانیه) تبخیر می‌شوند.

01

انتقال حرکت:

یون‌های پرانرژی (Ar+، O+) سطح زیرلایه را همزمان با شار بخار ورودی از پرتو E- یا منبع حرارتی بمباران می‌کنند.

02

اصلاح ریزساختار:

ضربه یون تحرک سطح آداتوم را افزایش می دهد، از رشد دانه های ستونی جلوگیری می کند و به چگالی ظاهری نزدیک- (چگالی بسته بندی > 99٪) می رسد.

03

تصحیح استوکیومتری:

کمک یون واکنشی (O2) اکسیداسیون کامل زیر{0}اکسیدهای موجود در فیلم‌های اکسید فلزی (مانند Ta2O5، Nb2O5، SiO2) را تضمین می‌کند و نوارهای جذب در طیف UV{3}NIR را حذف می‌کند.

04

 

مواد فیلم
 
 

اکسیدها:

SiO2، Ta2O5، TiO2، Nb2O5، HfO2 (پایداری با ضریب شکست بالا برای فیلترهای نوری).

 
 
 

فلوراید:

MgF2، LaF3 (لایه‌های ضریب شکست کم برای پوشش‌های AR باند پهن).

 
 
 

فلزات:

Al، Ag، Au، Ti (لایه های چسبندگی و بازتابنده های فلزی).

 

 

برنامه های کاربردی

لیزر و اپتیک دقیق:

فیلترهای باند، آینه‌های دو رنگ، و پوشش‌های محافظ لیزری که به آستانه آسیب ناشی از لیزر بالا (LIDT) و تغییر طیفی صفر تحت تنش حرارتی نیاز دارند.

شیشه روکش LiDAR:

لایه های نازک ضد-بازتابی (AR) و ضد آلودگی{1}} مقاوم در برابر هوای شدید در فضای باز.

productcate-550-450
productcate-550-450

بسته بندی نیمه هادی:

لایه‌های محصورکننده سد{0}}رطوبت و پدهای تماس فلزی که در دمای پایین بستر رسوب می‌کنند.

حسگرهای زیست پزشکی:

پوشش های تداخل نوری زیست سازگار برای تراشه های میکروسیال تشخیصی.

 

 
 
سفارشی سازی

محفظه ها و چیدمان های داخلی با توجه به ردپای تولید و الزامات فرآیندی خاص مهندسی شده اند:

01.

ابعاد اتاقک:

قابل مقیاس‌پذیری از واحدهای تحقیق و توسعه R=600 میلی‌متر تا سیستم‌های تولید با ظرفیت R=1200 میلی‌متر بالا-.

02.

بسته های پمپاژ:

قابل تنظیم با پمپ‌های توربومولکولی Maglev، کرایوپمپ‌ها و خطوط پشتی دمنده Roots بر اساس نیاز بار گاز.

03.

یکپارچه سازی منبع:

پیکربندی‌های منبع یون دوگانه یا تنظیم‌های رسوب‌گذاری هم‌زمان برای فیلم‌های شیب آلیاژی پیچیده و چند لایه-.

04.

سطح اتوماسیون:

ادغام با سیستم های خودکار انتقال بستر اتاق تمیز (EFEM / ابزارهای کلاستر خلاء).

 

کنترل کیفیت
 

تشخیص نشت:

هر محفظه خلاء نشت هلیوم{0}}با استفاده از طیف سنج جرمی (نرخ نشت < 1.0 × 10-10 Pa·m3/s) آزمایش می شود.

قابلیت ردیابی مولفه:

دریچه‌های خلاء، کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (MFC)، و منابع تغذیه که از مارک‌های صنعتی واجد شرایط Tier-1 (MKS، Inficon، VAT) تهیه می‌شوند.

تست پذیرش کارخانه (FAT):

آزمایش‌هایی را اجرا کنید که فشار پایه، منحنی پمپاژ، پایداری منبع، و 24{2}}ساعت استقامت مداوم در محفظه خالی را قبل از ارسال تأیید می‌کنند.

اعتبارسنجی مترولوژی:

اجرای نمونه از طریق اسپکتروفتومتر (گذرا/ بازتاب) و میکروسکوپ نیروی اتمی (زبری سطح Ra < 0.5 نانومتر) تأیید شد.

 

نصب و پشتیبانی فنی
 
 
 

راهنمای آماده سازی سایت:

الزامات ابزار جامع ارائه شده قبل از تحویل (جریان/فشار آب خنک کننده، هوای فشرده اتاق تمیز، توزیع برق، تهویه اگزوز).

 
 

راه اندازی کلید در دست:

مهندسان خدمات صحرایی مونتاژ مکانیکی، پخت خلاء-خارج، کالیبراسیون پرتو یونی، و امضای دستور اولیه فرآیند{1}}خاموش-را در سایت انجام می‌دهند.

 
 

آموزش اپراتور:

دست‌های ساختاریافته-در آموزش‌های مربوط به تعمیر و نگهداری معمول، ایمنی خلاء، عملیات نرم‌افزار، و عیب‌یابی.

 
 

پشتیبانی چرخه حیات:

رابط تشخیصی از راه دور برای عیب یابی سریع نرم افزار؛ انبار منطقه ای اقلام سایش حیاتی (رشته ها، بوته ها، سپرها) ظرف 48 ساعت ارسال می شود.

 

 

 

سوالات متداول

 

 

س: چگونه کمک یونی از تغییر طیفی در فیلترهای نوری جلوگیری می کند؟

A: تبخیر حرارتی معمولی حفره های میکروسکوپی را در فیلم ایجاد می کند که رطوبت محیط را جذب می کند و ضخامت فیزیکی و ضریب شکست را تغییر می دهد. بمباران یونی چگالی بسته‌بندی فیلم را بالای 99 درصد افزایش می‌دهد، ریزساختار را در برابر نفوذ رطوبت آب‌بندی می‌کند و پارامترهای نوری را قفل می‌کند که در محیط‌های با رطوبت متغیر پایدار هستند.

س: فاصله نگهداری معمولی برای شبکه منبع یون چیست؟

A: بسته به گازهای فرآیند (Ar در مقابل O2 راکتیو) و توان عملیاتی، تعمیر و نگهداری شبکه هر 150 تا 300 ساعت پردازش مورد نیاز است. انتهای بدون شبکه{4}}طرح‌های سالن با حذف شبکه‌های فیزیکی در معرض سایش پاشش، پنجره‌های عملیاتی را به‌طور قابل‌توجهی گسترش می‌دهند.

س: آیا این تجهیزات می تواند با اتوماسیون کارخانه موجود ادغام شود؟

ج: بله. نرم افزار کنترل از پروتکل های SECS/GEM و OPC UA پشتیبانی می کند و امکان اتصال مستقیم به سیستم های اجرایی تولید (MES) را برای مدیریت دستور پخت و ردیابی تعداد زیادی فراهم می کند.

ما به‌خوبی-به‌عنوان یکی از تولیدکنندگان و تأمین‌کنندگان پیشرو تجهیزات لایه نازک تبخیر-در چین شناخته می‌شویم. اگر می‌خواهید تجهیزات فیلم نازک تبخیر سفارشی-به کمک یون ساخت چین را بخرید، به لیست قیمت از کارخانه ما خوش آمدید. برای مشاوره قیمت با ما تماس بگیرید.

Optiese dun filmtoerusting, تجهیزات فیلم نازک برای برنامه های نیمه هادی, Dun film PVD -stelsel
ارسال درخواست
با ما تماس بگیریداگر سوالی دارید

شما می توانید از طریق تلفن، ایمیل یا فرم آنلاین زیر با ما تماس بگیرید. متخصص ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.

اکنون تماس بگیرید!