توضیحات تجهیزات:
· معرفی تجهیزات:
تجهیزات لایه نازک تقویتشده پلاسما یک فناوری پوشش یون خالص (پرتو یون خالص)،-تکنولوژی تمیز کردن پرتو یونی با انرژی بالا (Ionbeam)، فناوری اسپاتر مگنترون (Sputter) و رسوب بخار محصور مغناطیسی (محصور مغناطیسی-CVD) هستند که چهار فناوری VD و CVD کامل هستند.
تجهیزات لایه نازک تقویتشده پلاسما ترکیب فرآیندی انعطافپذیرتری را برای پاسخگویی به انواع نیازهای پیچیده محصول فراهم میکنند و فرآیند ترکیبی قدرتمند آن، امکانات بیشتری را برای طراحان فرآیند فراهم میکند.
تجهیزات فیلم نازک بهبود یافته پلاسما معرفی مختصری از عملکردهای تجهیزات:
(1) منبع پوشش یون خالص، با استفاده از سیستم تصفیه الکترومغناطیسی کارآمد، به طور موثر ذرات را حذف می کند، پرتو یونی با خلوص بالاتر به دست می آورد، به بهبود سختی پوشش و نیروی اتصال کمک می کند.
(2) منبع تمیز کردن پرتو یونی با انرژی بالا، با استفاده از ساختار تخلیه ویژه طراحی شده، به طور موثر با فعال سازی تمیز کردن پلاسما، یونیزاسیون کمکی، رسوب مستقل و سایر عملکردها سازگار است.
(3) منبع کندوپاش مگنترون، با استفاده از طراحی میدان مغناطیسی نوآورانه، به طور موثر نرخ بهره برداری هدف را بیش از 30٪ بهبود می بخشد.
(4) منبع رسوب بخار محصور مغناطیسی، قابل اعتماد و آسان برای حفظ ساختار، می تواند به رسوب پوشش سریع و خوب برسد.
انواع پوشش های معمولی:
(1) Me{1}}TAC، پوشش کامپوزیت فلزی TAC، به طور گسترده استفاده می شود
(2) Me-DLC، پوشش کامپوزیت فلزی DLC، به طور گسترده استفاده می شود
(3) پوشش های کامپوزیت Me-TAC-DLC، TAC-DLC، در حالی که سختی پایه و نیروی اتصال TAC بالاتری دارند، دارای سرعت رسوب و ظاهر ظریف DLC هستند.
· مزایای تجهیزات:
تجهیزات لایه نازک پیشرفته پلاسما میتوانند ترکیبی از TAC-DLC را درک کنند، که در مقایسه با CVD ساده، نیروی اتصال را بسیار بهبود میبخشد، در حالی که اندازه ذرات PVD را کاهش میدهد و زمان فرآیند را کوتاه میکند.
تجهیزات لایه نازک افزایش یافته پلاسما می توانند به انواع فرآیندهای رسوب فیلم C، TAC آبکاری یون خالص، DLC تخلیه محصور مغناطیسی، DLC آبکاری منبع یون لایه آند و غیره دست یابند.
تجهیزات فیلم نازک افزایش یافته پلاسما مجهز به دستگاه و نرم افزار اسکن الکترومغناطیسی است که می تواند جهت پرتو پلاسما را در یک نقطه و زمان ثابت کنترل کند و مشکل یکنواختی پوشش را تا حد زیادی بهبود بخشد و یکنواختی کل لایه فیلم کوره زیر 5±٪ کنترل می شود. بیان طراحی بهینه میدان مغناطیسی و طراحی خنک کننده، تعمیر و نگهداری آسان، پایداری تجهیزات خوب.
Express Friendly man-واسط ماشین، ضبط زمان واقعی-داده های فرآیند، منجر به کنترل کیفیت، تجزیه و تحلیل دشوار، توسعه فرآیندهای جدید.
express این پروژه یک تجهیزات کلید در دست است، شرکت Pure Source یک راه حل کامل از جمله فرمول پوشش پایدار بالغ ارائه می دهد.
فیلد برنامه:
اکسپرس دانشگاه ها و موسسات تحقیقاتی، تولید مواد مصرفی صنعتی، صنایع الکترونیک مصرفی و غیره؛
بیان اجزای کلیدی موتور برای خودروها و وسایل نقلیه دیزلی؛
بیان بخش های کلیدی صنعت نساجی؛
ابزارهای برش پیشرفته-و صنعت تجهیزات پزشکی را بیان کنید.

نوع پوشش:
|
نوع پوشش |
محدوده دمای رسوب گذاری |
میکروسختی (HV) |
قدرت اتصال پوشش (N) |
حداکثر دمای سرویس (درجه) |
ضخامت (μm) |
|
فوق-سخت-C |
<150℃ |
4000-5500 |
بزرگتر یا مساوی 35 نیوتن |
600 درجه (تحت N2حفاظت) |
1-2 |
|
طبیعی تا-C |
<150℃ |
2000-4500 |
بزرگتر یا مساوی 35 نیوتن |
350 درجه |
2-4 |
|
ضخیم تا-C |
<150℃ |
1800-2200 |
بزرگتر یا مساوی 35 نیوتن |
350 درجه |
5.5-8 |
|
فوق العاده-ضخیم-C |
<150℃ |
1800-2200 |
بزرگتر یا مساوی 35 نیوتن |
350 درجه |
20-28 |
|
DLC |
<120℃ |
1700-2500 |
بزرگتر یا مساوی 30 نیوتن |
250 درجه |
2-20 |
تگ های محبوب: تجهیزات لایه نازک تقویت شده پلاسما، تولید کنندگان تجهیزات لایه نازک پلاسما بهبود یافته چین، تامین کنندگان، کارخانه, Vakuum dun filmtoerusting, Dun filmmeting toerusting, Dun filmtoerusting vir deklaagtoepassings, Mikroskaal dun filmtoerusting, Outomatiese dun filmtoerusting, dun film sputter toerusting
