یون-سیستم رسوب لایه نازک به کمک

یون-سیستم رسوب لایه نازک به کمک

جزئیات
سیستم رسوب دهی لایه نازک به کمک یون-پرتو/تبخیر حرارتی با یک منبع یونی از نوع انتهایی{4}هال یا کافمن-چند{1}جیب-را یکپارچه می‌کند. در طی رسوب بخار فیزیکی (PVD)، بمباران یونی پرانرژی، تکانه را مستقیماً به آداتوم‌های روی سطح زیرلایه منتقل می‌کند، خلأهای ریزساختار ستونی را از بین می‌برد و لایه‌های نازک با چگالی بالا و پایدار برای محیط زیست تولید می‌کند.
طبقه بندی محصول
تجهیزات لایه نازک تبخیر یونی-
 
ارسال درخواست
شرح
پارامترهای فنی

یون صنعتی-سیستم رسوب لایه نازک به کمک


سیستم رسوب دهی لایه نازک به کمک یون-پرتو/تبخیر حرارتی با یک منبع یونی از نوع انتهایی{4}هال یا کافمن-چند{1}جیب-را یکپارچه می‌کند. در طی رسوب بخار فیزیکی (PVD)، بمباران یونی پرانرژی، تکانه را مستقیماً به آداتوم‌های روی سطح زیرلایه منتقل می‌کند، خلأهای ریزساختار ستونی را از بین می‌برد و لایه‌های نازک با چگالی بالا و پایدار برای محیط زیست تولید می‌کند.


این پلت فرم که برای ساخت اپتیک دقیق، میکروالکترونیک نیمه هادی و امکانات پیشرفته تحقیق و توسعه طراحی شده است، تکرارپذیری دسته ای سخت-به{1} را برای فیلترهای تداخل نوری پیچیده، روکش های محافظ سخت، و لایه های غیرفعال سازی نیمه هادی ارائه می دهد.

 

مشخصات فنی

 

پارامتر

مشخصات

ابعاد اتاقک

Φ 600 × 600 میلی‌متر (مقیاس‌بندی سفارشی تا 1200 میلی‌متر Φ موجود است)

فشار پایه نهایی

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (Fully baked, dry pumping architecture)

سوئیت پمپ خلاء

پمپ توربومولکولی 1600 L/s مغناطیسی با پشتوانه یک ترکیب پمپ خشک-ریشه آزاد/اسکرول روغن

منابع تبخیر

تفنگ E چند جیبی{{1} (کنترل جابجایی 4 × 10 کیلووات) و منابع حرارتی مقاومتی

پیکربندی منبع یون

پایان بدون شبکه-هال / منبع کافمن شبکه‌ای (انرژی پرتو: 50–1500 eV، جریان یون: حداکثر 250 میلی‌آمپر)

فیکسچر بستر

مرحله چرخش سیاره‌ای با سرعت متغیر-با گرمایش یکپارچه بستر تا 350 درجه

یکنواختی ضخامت فیلم

< ± 1% (measured across Φ 400 mm effective deposition zone)

سیستم کنترل فرآیند

هسته PLC با یک کامپیوتر صنعتی که نرم افزار اتوماسیون SCADA را با دستور- اجرا می کند، یکپارچه شده است

 

ویژگی های کلیدی


Momentum-ریزساختار پیشرفته:کمک یون کنترل شده تحرک سطح آداتوم را افزایش می دهد، به طور موثر رشد دانه های ستونی متخلخل را سرکوب می کند و تغییرات ضریب شکست ناشی از جذب رطوبت را حذف می کند.


بازخورد ضخامت کانال دوگانه-:کاوشگرهای میکروبالانس کریستال کوارتز دوگانه (QCM) را در کنار پورت‌های نظارت نوری باند پهن (BOM) برای تنظیم ضخامت و نرخ مقیاس واقعی-نانومتر زمان- ادغام می‌کند.


محفظه جاروبرقی فوق العاده-تمیز:ساخته شده از فولاد ضد زنگ 304 لیتری با روکش های الکتریکی داخلی،-دریچه های ورودی فلزی-آب بندی شده VAT، و فلنج های واشر پنوماتیک{3} برای به حداقل رساندن خروج گاز.


مقررات گاز راکتیو حلقه بسته{{0}:کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (MFC) با دقت بالا، اکسیژن، نیتروژن، و گازهای آرگون را با وضوح زیر-sccm اندازه‌گیری می‌کنند تا لایه‌های ترکیب استوکیومتری را ایمن کنند.

 

پیکربندی سیستم خلاء


خط خشن:پمپ‌های اسکرول خشک بدون روغن با مهر و موم هرمتیک- خطرات آلودگی هیدروکربنی را در مراحل ناهمواری و خط مقدم از بین می‌برند.


ادغام خلاء بالا:پمپ‌های توربومولکولی Maglev که مستقیماً از طریق دریچه‌های دروازه‌ای پنوماتیکی با رسانایی بالا به محفظه اصلی متصل می‌شوند، سرعت پمپاژ را برای بخارات آب فرآیند و باقیمانده به حداکثر می‌رسانند.


تشخیص خلاء:گیج‌های پیرانی و کاتد سرد اضافی، ثبت فشار کالیبره‌شده پیوسته-از اتمسفر تا 10-7 پاسکال را ارائه می‌کنند.

 

سازگاری مواد تبخیر و بستر


مواد تبخیر کننده:اکسیدهای دی الکتریک: SiO2، TiO2، Ta2O5، Nb2O5، HfO2، Al2O3


فلوراید:MgF2، LaF3


فلزات نسوز:طلا، نقره، Al، Ti، کروم، نیکل کروم


انواع زیرلایه:روکش های شیشه ای نوری (BK7، سیلیس ذوب شده، کوارتز)، ویفرهای نیمه هادی (سیلیکون، GaAs)، بسترهای تک کریستالی (LiNbO3، یاقوت کبود)، و اجزای فلزی دقیق.

 

برنامه های کاربردی


اپتیک دقیق:فیلترهای با طول موج باریک-تقسیم چندگانه (WDM)، آینه های خط لیزر، و پوشش های ضد انعکاس بادوام-(AR) برای سیستم های لیزری پرقدرت.


ساخت نیمه هادی:دی‌الکتریک‌های اکسید گیت، لایه‌های بذر چسبنده به هم پیوسته فلزی و روکش‌های غیرفعال‌کننده رطوبت-.


اپتوالکترونیک پیشرفته:پلارایزرهای لایه نازک، لایه‌های روکش موجبر، و لایه‌های پانل لمسی اکسید رسانای شفاف (TCO).

 

سفارشی سازی


محوطه اتاق:زنگ استوانه‌ای عمودی-شیشه‌ها، پیکربندی‌های جعبه مربعی دوگانه{1} درب، یا عبور{2}}روی طرح‌ها.


ماژولاریت منبع:تعداد جیب بوته سفارشی، ادغام کاتد کندوپاش مگنترون ثانویه، یا تنظیم‌های تخصصی برق بایاس RF.


معماری اتوماسیون:منطق اینترلاک PLC مناسب، سطوح مجوز امنیتی SCADA، و پروتکل‌های ثبت اطلاعات میزبان SECS/GEM{0}}.

 

کنترل کیفیت


اعتبار سنجی مؤلفه:تمام فلنج‌های ساختاری، ورودی‌های خلاء، الکترونیک قدرت و کنترل‌کننده‌های جریان جرمی قبل از مونتاژ تحت آزمایش‌های تک بعدی و نیمکت الکتریکی قرار می‌گیرند.


گواهی نشت:محفظه های مونتاژ شده تحت آزمایش نشت طیف سنج جرمی هلیوم قرار می گیرند. آستانه رد باید زیر 1.0 × 10-4 Pa·m3/s باقی بماند.


تست پذیرش کارخانه (FAT):اعتبار 72-ساعت خشک مداوم- اجباری که منحنی‌های کاهش پمپاژ، مکانیک چرخش سیاره‌ای چند محوری، حلقه‌های ایمنی در هم قفل، و پایداری انتشار تفنگ الکترونیکی را پوشش می‌دهد.

 

نصب و پشتیبانی فنی


مستندات:با نقشه‌های مونتاژ مکانیکی، شماتیک‌های الکتریکی، طرح‌بندی P&ID، رجیسترهای منبع منطقی PLC و راهنماهای نگهداری پیشگیرانه ارسال می‌شود.


در{0}}راه اندازی سایت:مهندسان خدمات صحرایی موقعیت مکانیکی، اتصالات ابزار (برق، آب خنک کننده، هوای فشرده)، و پخت اولیه سیستم را هدایت می‌کنند-.


آموزش فرآیندی:شامل اجرای کالیبراسیون پایه، تنظیم پارامتر منبع یون، و آموزش پروتکل ایمنی اپراتور است.


مراقبت از چرخه زندگی:پشتیبانی تشخیصی از راه دور از طریق ماژول‌های VPN رمزگذاری‌شده، انبار کردن قطعات یدکی منطقه‌ای، و ممیزی‌های کالیبراسیون برنامه‌ریزی‌شده.

 

سوالات متداول

 

س: چگونه ضخامت لایه در طول اجرای رسوب گذاری چند لایه نظارت می شود؟

پاسخ: این سیستم از میکروبالانس‌های کریستال کوارتز دوگانه (QCM) برای ردیابی نرخ و ضخامت{0}زمان واقعی استفاده می‌کند. برای پشته های تداخل نوری پیچیده، با سیستم های نظارت نوری باند پهن ادغام می شود تا نقاط پایانی لایه را مستقیماً از منحنی های انتقال طیفی تصحیح کند.

س: چه زیرساخت های ابزاری در محل نصب مورد نیاز است؟

A: منبع برق: 3 فاز، 380 ولت / 480 ولت، 50/60 هرتز (پیکربندی شده بر اساس استانداردهای شبکه منطقه ای).
آب خنک کننده: دما 15 تا 20 درجه، حداقل دبی 30 لیتر در دقیقه، فشار منبع 0.3-0.4 مگاپاسکال.
Process Gases: Ultra-high purity (>99.999٪ Ar، O2، و N2 تمیز در 0.15 مگاپاسکال تنظیم می شود.

س: زمان استاندارد از تأیید سفارش تا تحویل چقدر است؟

A: تنظیمات استاندارد معمولاً به 16 تا 20 هفته نیاز دارند. ابعاد محفظه کاملاً سفارشی یا پلتفرم‌های ادغام چند منبع-به 24 تا 30 هفته زمان نیاز دارد که بستگی به علامت طراحی مهندسی-خاموش کردن و تهیه قطعات تخصصی دارد.

 

تگ های محبوب: یون-سیستم رسوب لایه نازک با کمک یون، چین-سازندگان، تامین کنندگان، کارخانه، سیستم رسوب لایه نازک با کمک یون, Buigsame dun filmtoerusting, Dun filmneerslagstelsel, Dun filmmeting toerusting, Dun filmverpakkingstoerusting, Dun filmweerstand meet toerusting, dun film halfgeleier toerusting

ارسال درخواست
با ما تماس بگیریداگر سوالی دارید

شما می توانید از طریق تلفن، ایمیل یا فرم آنلاین زیر با ما تماس بگیرید. متخصص ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.

اکنون تماس بگیرید!