یون-تجهیزات لایه نازک به کمک تبخیر

یون-تجهیزات لایه نازک به کمک تبخیر

جزئیات
سیستم صنعتی-گرید یون-سیستم تبخیر کمکی (IAE) که تبخیر چند{2}}الکترون جیبی- را با یک منبع پرتو یونی پرانرژی یکپارچه می‌کند (پیکربندی End{4}Hall یا Kaufman). بمباران یونی زمانی واقعی، حرکت جنبشی را به آداتوم های متراکم منتقل می کند، رشد دانه های ستونی را سرکوب می کند و تراکم بسته بندی لایه نازک- را به سمت مقادیر مواد حجیم هدایت می کند.
طبقه بندی محصول
یون-تجهیزات لایه نازک به کمک تبخیر
 
ارسال درخواست
شرح
پارامترهای فنی

سیستم صنعتی-گرید یون-سیستم تبخیر کمکی (IAE) که تبخیر چند{2}}الکترون جیبی- را با یک منبع پرتو یونی پرانرژی یکپارچه می‌کند (پیکربندی End{4}Hall یا Kaufman). بمباران یونی زمانی واقعی، حرکت جنبشی را به آداتوم های متراکم منتقل می کند، رشد دانه های ستونی را سرکوب می کند و تراکم بسته بندی لایه نازک- را به سمت مقادیر مواد حجیم هدایت می کند.


پیکربندی شده برای پردازش دسته‌ای در وسایل چرخش سیاره‌ای تحت اتوماسیون دوگانه-PLC. کاربردهای اصلی شامل پوشش‌های تداخل نوری با آستانه آسیب{4} بالا (LIDT)، پشته‌های فیلتر دی الکتریک متراکم، و روکش‌های محافظ بادوام است.

 

مشخصات فنی و قابلیت فرآیند

 

پارامتر

مشخصات و قابلیت فرآیند

فشار پایه نهایی

<= 5.0 x 10^-5 Pa (clean, dry, empty chamber)

پمپ-زمان خاموشی

< 15 min from atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa

ساخت اتاق

فولاد ضد زنگ 304 لیتر / 316 لیتر؛ الکترو پولیش داخلی (Ra<= 0.4 um)

منبع پرتو الکترونی

6 کیلو وات / 10 کیلووات تفنگ جارو جیبی چند- (4 تا 6 بوته)

نوع منبع یونی

انتهای-هال یا کافمن پرتو پهن-; انرژی: 50 - 300 eV; جریان: 0 - 1000 میلی آمپر

دمای بستر

محیط تا 300 درجه سانتیگراد (+/- 2 درجه سانتیگراد PID بسته-کنترل یکنواختی حلقه)

یکنواختی ضخامت

<= +/- 1.0% across a 400 mm deposition zone (with planetary rotation)

کنترل استرس درونی

<= +/- 50 MPa (Compressive/Tensile tunable via ion energy adjustment)

تکرارپذیری ضریب شکست

دلتا n<= +/- 0.001 verified over 50 consecutive production runs

در دسترس بودن سیستم (Uptime)

>= 95% در دسترس بودن عملیاتی تحت تولید مداوم چند شیفتی

معماری کنترل

کنترلر صنعتی دوگانه-PLC با اینترلاک ایمنی سخت افزاری و مدیریت دستور پخت

 

ویژگی های کلیدی


بمباران یونی پر انرژی:انتقال{0}زمان واقعی ریزحفره‌ها را از بین می‌برد و ضرایب انکسار را در برابر تغییرات طیفی ناشی از رطوبت تثبیت می‌کند.


خونریزی واکنشی گاز:تزریق فشار جزئی کنترل شده O2 یا N2 کمبود اکسیژن را در طول رسوب اکسید/نیترید جبران می کند و نوارهای جذب زیر{2} اکسید را حذف می کند.


دک منبع مدولار:کاست{0}}تعویض شبکه منبع یونی سبک و جیب‌های پرتو E قابل تعویض- زمان بازیابی محفظه را کاهش می‌دهد-به-زمان بازیابی خلاء را به کمتر از 2 ساعت.


یکپارچگی خلاء:فلنج های ISO/CF مهر و موم شده فلزی-و{1}}ویتون- مهر و موم شده همراه با دریچه های دروازه پنوماتیک از آلودگی متقاطع-در دسته ها جلوگیری می کند.

 

پیکربندی سیستم خلاء


بسته خشن:دمنده ریشه با پشتوانه پره دوار یا پمپ های مکانیکی اسکرول هرمتیک رایگان-روغنی.


پمپ خلاء بالا-:Cryogenic pump (cryopump) or magnetically levitated turbomolecular pump (air throughput >= 2200 L/s).


اندازه گیری فشار:ترکیبی از گیج‌های یونیزاسیون پیرانی و{0}}کاتد داغ برای ثبت پیوسته از اتمسفر تا خلاء بالا.


تنظیم فشار فرآیند:مانومتر ظرفیت حلقه -بسته، دریچه گاز پروانه ای خودکار را در حین تزریق گاز هدایت می کند.

 

سازگاری مواد تبخیر و بستر


مواد تبخیر:
اکسیدها:
SiO2، Ta2O5، TiO2، Nb2O5، HfO2
فلوراید:MgF2، LaF3
فلزات:طلا، Ag، Al، Cr، Ti


مواد بستر:
شیشه نوری (BK7، سیلیس ذوب شده، کوارتز)


ویفرهای نیمه هادی (سیلیکون، آرسنید گالیم)


کریستال ها (LiNbO3، یاقوت کبود، YAG)


هندسه فیکسچر:قفس‌های چرخش سیاره‌ای سفارشی، وسایل گنبدی، و{0}}صفحه‌دارهای مسطح که برای حجم‌های دسته‌ای خاص مهندسی شده‌اند.

 

برنامه های کاربردی و شواهد عملکرد تجربی


فیلترهای تداخل لیزری:فیلترهای باریک و لبه‌ای که به نسبت خاموشی نیاز دارند با عمق مسدود کردن > OD6 در 1064 نانومتر.


پوشش‌های ضد انعکاسی (AR):پوشش‌های AR باند پهن چند لایه برای پنجره‌های لیزری با قدرت{{1} بالا و اپتیک دوربین.


آینه های سطح جلو:بازتابنده‌های فلزی با پراکندگی پایین-که با روکش‌های دی الکتریک سخت برای تجهیزات هوافضا و دفاع محافظت می‌شوند.


لایه های دی الکتریک نیمه هادی:رسوب لایه دی الکتریک غیرفعال کننده و عایق بر روی بسترهای حساس به دما{0}}.

 

سفارشی سازی


اندازه اتاقک:قطر داخلی از 700 میلی متر تا 1300 میلی متر مقیاس بندی شده است.


یکپارچه سازی منبع:تنظیم‌های پرتو E دوگانه، منابع مقاومت حرارتی، یا پیکربندی‌های رسوب‌گذاری مشترک.


سطح اتوماسیون:بارگیری دستی نیمه خودکار یا جابجایی بستر رباتیک کاملاً یکپارچه با قفل-.


رعایت:تابلوهای برق CE، UL/CSA و بسته‌های انطباق ایمنی SEMI S2/S8.

 

کنترل کیفیت و تأیید کارخانه


تشخیص نشت:تست نشت هلیوم طیف‌سنج جرمی همه محفظه‌ها و آب‌بندی‌ها تا کمتر از 1*10^-10 Pa*m^3/s.


بازرسی ابعادی:تأیید CMM فلنج های نصب داخلی و پروفیلومتری نوری که زبری دیوار محفظه را تأیید می کند (Ra<= 0.4 um).


رایت-در آزمایش:تست اجرای 72-ساعت خشک مداوم- پمپ‌های خلاء، منابع تغذیه ولتاژ بالا و حلقه‌های اینترلاک PLC.


تست پذیرش فرآیند (FAT):پوشش مرجع برای تأیید پایداری نرخ رسوب و اهداف ضریب شکست در برابر معیارهای از قبل توافق شده{0}} اجرا می شود.

 

نصب و پشتیبانی فنی


راهنمای نصب قبل از-نقشه های چیدمان که آب سرد، تهویه خروجی، بارهای الکتریکی و ظرفیت وزن کف را پوشش می دهد.


در{0}}راه اندازی سایت:اجرای مهندسی میدانی تراز مکانیکی، بررسی نشت، اتصالات ابزار و آزمایش SAT مشترک.


آموزش فرآیندی:آموزش اپراتور و تعمیر و نگهداری شامل برنامه نویسی دستور العمل، سرویس منبع یون و بازسازی پمپ.


پشتیبانی چرخه حیات:یکپارچه سازی رابط تشخیصی از راه دور و مدیریت موجودی قطعات یدکی محلی.

 

سوالات متداول

 

س: چگونه کمک یونی از تغییر طول موج نوری جلوگیری می کند؟

پاسخ: بمباران یونی پر انرژی، ساختار فیلم را با انتقال تکانه به آداتوم ها فشرده می کند و حفره های میکروسکوپی را از بین می برد. این مانع از جذب رطوبت اتمسفر می شود، ضریب شکست و پایداری طیف های انتقال را قفل می کند.

س: پروتکل نگهداری و خرابی منبع یون چیست؟

پاسخ: انتهای بدون شبکه-منابع یون سالن نیاز به بازرسی اجزای داخلی هر 200 تا 300 ساعت فرآیند دارند. طراحی کاست-سبک تعویض سریع-به تکنسین‌ها این امکان را می‌دهد که اپتیک‌های یونی را تعویض یا سرویس کنند و محفظه را ظرف ۲ ساعت به حالت خلاء برگردانند.

س: آیا سیستم می تواند هم QCM و هم نظارت نوری را یکپارچه کند؟

ج: بله. پیکربندی‌های مانیتورینگ دوگانه از QCM برای نرخ‌های لایه پایه اولیه و نظارت نوری (OMS) برای ردیابی حداکثری انتقال/انعکاس برای پایان‌بندی دقیق لایه موج یک چهارم-استفاده می‌کنند.

س: الزامات ابزار اولیه برای یک محفظه استاندارد 900 میلی متر چیست؟

A: 3-phase power (380V / 480V, 50/60 Hz), chilled cooling water (~ 15 to 20 deg C at 4 - 6 bar), compressed air (>= 0.6 مگاپاسکال)، و 99.999٪ گازهای فرآیند خالص (Ar، O2) تنظیم شده در 0.2 - 0.3 مگاپاسکال.

 

تگ های محبوب: تجهیزات لایه نازک تبخیر یونی-تجهیزات لایه نازک تبخیر، چین-تجهیزات فیلم نازک تبخیر به کمک تولیدکنندگان، تامین کنندگان، کارخانه, تجهیزات فیلم نازک برای برنامه های تولید دستگاه هوش مصنوعی

ارسال درخواست
با ما تماس بگیریداگر سوالی دارید

شما می توانید از طریق تلفن، ایمیل یا فرم آنلاین زیر با ما تماس بگیرید. متخصص ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.

اکنون تماس بگیرید!