سیستم صنعتی-گرید یون-سیستم تبخیر کمکی (IAE) که تبخیر چند{2}}الکترون جیبی- را با یک منبع پرتو یونی پرانرژی یکپارچه میکند (پیکربندی End{4}Hall یا Kaufman). بمباران یونی زمانی واقعی، حرکت جنبشی را به آداتوم های متراکم منتقل می کند، رشد دانه های ستونی را سرکوب می کند و تراکم بسته بندی لایه نازک- را به سمت مقادیر مواد حجیم هدایت می کند.
پیکربندی شده برای پردازش دستهای در وسایل چرخش سیارهای تحت اتوماسیون دوگانه-PLC. کاربردهای اصلی شامل پوششهای تداخل نوری با آستانه آسیب{4} بالا (LIDT)، پشتههای فیلتر دی الکتریک متراکم، و روکشهای محافظ بادوام است.
مشخصات فنی و قابلیت فرآیند
|
پارامتر |
مشخصات و قابلیت فرآیند |
|
فشار پایه نهایی |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (clean, dry, empty chamber) |
|
پمپ-زمان خاموشی |
< 15 min from atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa |
|
ساخت اتاق |
فولاد ضد زنگ 304 لیتر / 316 لیتر؛ الکترو پولیش داخلی (Ra<= 0.4 um) |
|
منبع پرتو الکترونی |
6 کیلو وات / 10 کیلووات تفنگ جارو جیبی چند- (4 تا 6 بوته) |
|
نوع منبع یونی |
انتهای-هال یا کافمن پرتو پهن-; انرژی: 50 - 300 eV; جریان: 0 - 1000 میلی آمپر |
|
دمای بستر |
محیط تا 300 درجه سانتیگراد (+/- 2 درجه سانتیگراد PID بسته-کنترل یکنواختی حلقه) |
|
یکنواختی ضخامت |
<= +/- 1.0% across a 400 mm deposition zone (with planetary rotation) |
|
کنترل استرس درونی |
<= +/- 50 MPa (Compressive/Tensile tunable via ion energy adjustment) |
|
تکرارپذیری ضریب شکست |
دلتا n<= +/- 0.001 verified over 50 consecutive production runs |
|
در دسترس بودن سیستم (Uptime) |
>= 95% در دسترس بودن عملیاتی تحت تولید مداوم چند شیفتی |
|
معماری کنترل |
کنترلر صنعتی دوگانه-PLC با اینترلاک ایمنی سخت افزاری و مدیریت دستور پخت |
ویژگی های کلیدی
بمباران یونی پر انرژی:انتقال{0}زمان واقعی ریزحفرهها را از بین میبرد و ضرایب انکسار را در برابر تغییرات طیفی ناشی از رطوبت تثبیت میکند.
خونریزی واکنشی گاز:تزریق فشار جزئی کنترل شده O2 یا N2 کمبود اکسیژن را در طول رسوب اکسید/نیترید جبران می کند و نوارهای جذب زیر{2} اکسید را حذف می کند.
دک منبع مدولار:کاست{0}}تعویض شبکه منبع یونی سبک و جیبهای پرتو E قابل تعویض- زمان بازیابی محفظه را کاهش میدهد-به-زمان بازیابی خلاء را به کمتر از 2 ساعت.
یکپارچگی خلاء:فلنج های ISO/CF مهر و موم شده فلزی-و{1}}ویتون- مهر و موم شده همراه با دریچه های دروازه پنوماتیک از آلودگی متقاطع-در دسته ها جلوگیری می کند.
پیکربندی سیستم خلاء
بسته خشن:دمنده ریشه با پشتوانه پره دوار یا پمپ های مکانیکی اسکرول هرمتیک رایگان-روغنی.
پمپ خلاء بالا-:Cryogenic pump (cryopump) or magnetically levitated turbomolecular pump (air throughput >= 2200 L/s).
اندازه گیری فشار:ترکیبی از گیجهای یونیزاسیون پیرانی و{0}}کاتد داغ برای ثبت پیوسته از اتمسفر تا خلاء بالا.
تنظیم فشار فرآیند:مانومتر ظرفیت حلقه -بسته، دریچه گاز پروانه ای خودکار را در حین تزریق گاز هدایت می کند.
سازگاری مواد تبخیر و بستر
مواد تبخیر:
اکسیدها:SiO2، Ta2O5، TiO2، Nb2O5، HfO2
فلوراید:MgF2، LaF3
فلزات:طلا، Ag، Al، Cr، Ti
مواد بستر:
شیشه نوری (BK7، سیلیس ذوب شده، کوارتز)
ویفرهای نیمه هادی (سیلیکون، آرسنید گالیم)
کریستال ها (LiNbO3، یاقوت کبود، YAG)
هندسه فیکسچر:قفسهای چرخش سیارهای سفارشی، وسایل گنبدی، و{0}}صفحهدارهای مسطح که برای حجمهای دستهای خاص مهندسی شدهاند.
برنامه های کاربردی و شواهد عملکرد تجربی
فیلترهای تداخل لیزری:فیلترهای باریک و لبهای که به نسبت خاموشی نیاز دارند با عمق مسدود کردن > OD6 در 1064 نانومتر.
پوششهای ضد انعکاسی (AR):پوششهای AR باند پهن چند لایه برای پنجرههای لیزری با قدرت{{1} بالا و اپتیک دوربین.
آینه های سطح جلو:بازتابندههای فلزی با پراکندگی پایین-که با روکشهای دی الکتریک سخت برای تجهیزات هوافضا و دفاع محافظت میشوند.
لایه های دی الکتریک نیمه هادی:رسوب لایه دی الکتریک غیرفعال کننده و عایق بر روی بسترهای حساس به دما{0}}.
سفارشی سازی
اندازه اتاقک:قطر داخلی از 700 میلی متر تا 1300 میلی متر مقیاس بندی شده است.
یکپارچه سازی منبع:تنظیمهای پرتو E دوگانه، منابع مقاومت حرارتی، یا پیکربندیهای رسوبگذاری مشترک.
سطح اتوماسیون:بارگیری دستی نیمه خودکار یا جابجایی بستر رباتیک کاملاً یکپارچه با قفل-.
رعایت:تابلوهای برق CE، UL/CSA و بستههای انطباق ایمنی SEMI S2/S8.
کنترل کیفیت و تأیید کارخانه
تشخیص نشت:تست نشت هلیوم طیفسنج جرمی همه محفظهها و آببندیها تا کمتر از 1*10^-10 Pa*m^3/s.
بازرسی ابعادی:تأیید CMM فلنج های نصب داخلی و پروفیلومتری نوری که زبری دیوار محفظه را تأیید می کند (Ra<= 0.4 um).
رایت-در آزمایش:تست اجرای 72-ساعت خشک مداوم- پمپهای خلاء، منابع تغذیه ولتاژ بالا و حلقههای اینترلاک PLC.
تست پذیرش فرآیند (FAT):پوشش مرجع برای تأیید پایداری نرخ رسوب و اهداف ضریب شکست در برابر معیارهای از قبل توافق شده{0}} اجرا می شود.
نصب و پشتیبانی فنی
راهنمای نصب قبل از-نقشه های چیدمان که آب سرد، تهویه خروجی، بارهای الکتریکی و ظرفیت وزن کف را پوشش می دهد.
در{0}}راه اندازی سایت:اجرای مهندسی میدانی تراز مکانیکی، بررسی نشت، اتصالات ابزار و آزمایش SAT مشترک.
آموزش فرآیندی:آموزش اپراتور و تعمیر و نگهداری شامل برنامه نویسی دستور العمل، سرویس منبع یون و بازسازی پمپ.
پشتیبانی چرخه حیات:یکپارچه سازی رابط تشخیصی از راه دور و مدیریت موجودی قطعات یدکی محلی.
سوالات متداول
س: چگونه کمک یونی از تغییر طول موج نوری جلوگیری می کند؟
پاسخ: بمباران یونی پر انرژی، ساختار فیلم را با انتقال تکانه به آداتوم ها فشرده می کند و حفره های میکروسکوپی را از بین می برد. این مانع از جذب رطوبت اتمسفر می شود، ضریب شکست و پایداری طیف های انتقال را قفل می کند.
س: پروتکل نگهداری و خرابی منبع یون چیست؟
پاسخ: انتهای بدون شبکه-منابع یون سالن نیاز به بازرسی اجزای داخلی هر 200 تا 300 ساعت فرآیند دارند. طراحی کاست-سبک تعویض سریع-به تکنسینها این امکان را میدهد که اپتیکهای یونی را تعویض یا سرویس کنند و محفظه را ظرف ۲ ساعت به حالت خلاء برگردانند.
س: آیا سیستم می تواند هم QCM و هم نظارت نوری را یکپارچه کند؟
ج: بله. پیکربندیهای مانیتورینگ دوگانه از QCM برای نرخهای لایه پایه اولیه و نظارت نوری (OMS) برای ردیابی حداکثری انتقال/انعکاس برای پایانبندی دقیق لایه موج یک چهارم-استفاده میکنند.
س: الزامات ابزار اولیه برای یک محفظه استاندارد 900 میلی متر چیست؟
A: 3-phase power (380V / 480V, 50/60 Hz), chilled cooling water (~ 15 to 20 deg C at 4 - 6 bar), compressed air (>= 0.6 مگاپاسکال)، و 99.999٪ گازهای فرآیند خالص (Ar، O2) تنظیم شده در 0.2 - 0.3 مگاپاسکال.
تگ های محبوب: تجهیزات لایه نازک تبخیر یونی-تجهیزات لایه نازک تبخیر، چین-تجهیزات فیلم نازک تبخیر به کمک تولیدکنندگان، تامین کنندگان، کارخانه, تجهیزات فیلم نازک برای برنامه های تولید دستگاه هوش مصنوعی

