سیستم IBAE پرتو الکترونی یا تبخیر حرارتی را با منبع یونی پرتو گسترده- یکپارچه ترکیب میکند. بمباران یونی همزمان در طول رشد فیلم، انرژی جنبشی را به آداتومهای متراکم منتقل میکند، ریزساختارهای ستونی را حذف میکند و لایههای نازک با چگالی نزدیک به -توده-با حداقل رطوبت{5}}تغییر طیفی ایجاد میکند.
مشخصات فنی
|
پارامتر |
مشخصات |
|
فشار پایه |
<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes) |
|
فشار کاری |
1.0 x 10^(-1) تا 1.0 x 10^(-2) Pa |
|
نوع منبع یونی |
پایان بدون شبکه-تالار / منبع یون کافمن |
|
انرژی پرتو یونی |
50 eV تا 1500 eV (حلقه بسته-تثبیت شده) |
|
چگالی جریان پرتو یونی |
0 تا 2.5 mA/cm^2 |
|
منابع تبخیر |
تفنگ چند جیبی E{{1} (4 x 15 سی سی تا 6 x 40 سی سی) / قایق های مقاومت |
|
نگهدارنده بستر |
دستگاه چرخش سیاره ای با گرمایش تا 300 درجه سانتیگراد |
|
یکنواختی ضخامت |
<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter |
|
سیستم کنترل |
زیمنس S7-1500 PLC + کامپیوتر صنعتی (کنترل کننده رسوب Inficon) |
ویژگی های کلیدی
بمباران دو حالته-انتقال انرژی جنبشی باعث متراکم شدن لایه ها در دمای پایین بستر می شود و از اپتیک های ظریف و بسترهای پلیمری محافظت می کند.
-تثبیت یون حلقه بسته:کنترلکنندههای جریان جرمی یکپارچه، شار یونی را در طول دورههای تولید طولانی حفظ میکنند و از ثبات دستهای اطمینان میدهند.
محفظه خلاء مدولار:سازه فولادی ضد زنگ 304L با فضای داخلی برقی-(Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.
توالی خودکار:چرخههای پایین، رسوبگذاری و خروجی پمپ مدیریتشده با PLC، واریانس عملیاتی را به حداقل میرسانند.
پیکربندی سیستم خلاء
پمپ های زبر:ریشههای خشک بدون روغن-و پمپهای پره دوار.
پمپ خلاء بالا:پمپ توربومولکولی معلق مغناطیسی (1600 L/s).
سنج ها:مانومترهای خازنی پیرانی، کاتد سرد و باراترون ترکیبی.
شیرآلات:دروازه پنوماتیک و شیرهای زاویه ای با اینترلاک ایمنی سخت افزاری.
سازگاری مواد تبخیر و بستر
اکسیدها:SiO2، Ta2O5، TiO2، Nb2O5، Al2O3
فلوراید:MgF2، LaF3
فلزات:Au، Ag، Al، Ti، Cr
بسترها:سیلیس ذوب شده، BK7، ویفرهای سیلیکونی، ژرمانیوم، سلنید روی (ZnSe) و پلی آمید مقاوم در برابر حرارت{1}.
برنامه های کاربردی
اپتیک دقیق:فیلترهای گذر باند باریک و پوششهای DWDM که به طول موجهای مرکزی پایدار نیاز دارند.
لیزر اپتیک:بازتاب دهنده های-آستانه آسیب-بالا و روکش های ضد انعکاس-.
نیمه هادی و فوتونیک:لایه های محافظ دی الکتریک، غیرفعال سازی و موجبرهای نوری.
انرژی خورشیدی:اصلاح رابط اکسید رسانای شفاف (TCO).
سفارشی سازی
اندازه اتاقک:قطرهای مقیاس پذیر از 600 میلی متر تا 1200 میلی متر.
چیدمان منبع:حداکثر سه تفنگ الکترونیکی-و چندین منبع حرارتی در هر سکو.
در-مترولوژی درجا:نظارت نوری پهن باند (BOM) یا ادغام میکروبالانس کریستال کوارتز (QCM).
اتوماسیون:رابط های بارگیری بستر رباتیک مطابق با استانداردهای SEMI.
کنترل کیفیت
تشخیص نشت:آزمایش طیف سنج جرمی هلیوم در هر محفظه (حساسیت<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).
منبع یابی مولفه:برندهای صنعتی Tier-1 (Inficon، MKS، Edwards، Siemens).
پذیرش کارخانه (FAT):اجرای خشک مداوم 72 ساعته و روکش تایید کننده ضریب شکست و یکنواختی قبل از ارسال.
نصب و پشتیبانی فنی
مستندات:بسته کامل انگلیسی شامل شماتیک های الکتریکی، نمودارهای P&ID و کدهای منبع PLC.
خدمات میدانی:نصب کلید در دست، کالیبراسیون خلاء و تنظیم دستور پخت توسط مهندسان برنامه.
تشخیص از راه دور:ماژول VPN امن برای عیب یابی نرم افزار و فرآیند.
سوالات متداول
س: کمک یونی چگونه ضریب شکست اکسید را تغییر می دهد؟
پاسخ: بمباران یونی پرانرژی، گازهای باقیمانده به دام افتاده را دفع می کند و ریزساختار را متراکم می کند و ضریب شکست فیلم هایی مانند Ta2O5 و TiO2 را به مقادیر توده نزدیک می کند.
س: فاصله نگهداری معمولی برای منبع یون چیست؟
A: بسته به گازهای فرآیند و چگالی توان عملیاتی، فواصل نگهداری از 150 تا 300 ساعت پردازش متغیر است.
س: آیا این سیستم می تواند فرآیندهای گاز راکتیو را مدیریت کند؟
ج: بله. کنترلکنندههای جریان جرمی مستقل، گازهای راکتیو (O2، N2) را مستقیماً به منبع یون و مناطق محفظه تزریق میکنند که با سوئیچهای فشار ایمنی در هم قفل شدهاند.
تگ های محبوب: تجهیزات تبخیر به کمک پرتو یونی، تولید کنندگان تجهیزات تبخیر با پرتو یونی چین، تامین کنندگان، کارخانه
