سیستم لایه نازک تبخیر پرتو الکترونی

EBE-سری سیستم تبخیر پرتو الکترونی برای رسوب فیزیکی بخار (PVD) فلزات، دی الکتریک ها و مواد نوری با نقطه ذوب بالا-و مواد نوری طراحی شده است. با استفاده از یک پرتو الکترونی متمرکز با انحراف مغناطیسی مستقیماً بر روی مواد منبع در بوته‌های-خنک‌شده با آب، سیستم به نرخ‌های رسوب‌گذاری بالایی دست می‌یابد و در عین حال محیط خلاء آزاد-آلودگی را حفظ می‌کند.

این پلت فرم که خطوط تولید و آزمایشگاه‌های تحقیقاتی پیشرفته را هدف قرار می‌دهد، از ساخت فیلم‌های نازک چند لایه- با کنترل دقیق سرعت پشتیبانی می‌کند و آن را برای فیلترهای تداخل نوری، متالیزاسیون نیمه هادی و پوشش‌های مقاوم در برابر سایش مناسب می‌کند.

انحراف پرتو مغناطیسی:خمش 270 درجه ای-هندسه تفنگی، رشته را از خط مستقیم-- تف کردن مواد محافظت می‌کند و از اتصال کوتاه و تخریب رشته جلوگیری می‌کند.

بسته-کنترل نرخ حلقه:حسگرهای کریستال کوارتز چند کاناله-با خروجی الگوریتم مشتق متناسب-انتگرال-(PID) برای تنظیم جریان انتشار و سرعت رسوب به صورت دینامیکی ادغام می‌شود.

عرشه بوته مدولار:مکانیسم نمایه‌سازی از ورودی‌های فروسیال و موتورهای پله‌ای مستقیم برای سوئیچینگ سریع و بدون ذرات-در خلاء استفاده می‌کند.

معماری ایمنی بهم پیوسته:اینترلاک‌های سطح سخت‌افزاری، جریان آب خنک‌کننده، آستانه‌های خلاء و وضعیت درب محفظه را برای محافظت از اپراتورها و اجزای{1} ولتاژ بالا نظارت می‌کنند.

مجموعه فرعی خلاء-برای تمیزی خط پایه و دوچرخه سواری سریع ساخته شده است:

رافینگ و خط مقدم:پمپ اسکرول بدون روغن{0}}(ظرفیت: 30 m³/h) جریان برگشت هیدروکربن را به محفظه اصلی حذف می کند.

خلاء بالا:پمپ مولکولی توربو مرکب- که توسط دریچه‌های دروازه الکتروپنوماتیکی و دریچه‌های زاویه‌ای پنوماتیک پشتیبانی می‌شود.

مانیتورینگ فشار:ترکیبی از یون سنج‌های پیرانی و Bayard{0}}Alpert بازخورد واقعی-در اتمسفر را به خلاء فوق‌العاده-بالا (10⁻⁹ Torr) ارائه می‌کند.

قابلیت Bakeout:بخاری های مادون قرمز کوارتز اختیاری یا بخاری های ژاکتی گاز زدایی حرارتی محفظه ای را برای رسیدن سریعتر به آستانه فشار پایه امکان پذیر می کند.

مواد منبع پشتیبانی شده
فلزات نسوز:Ti، Ta، W، Mo، Cr، Ni، Au، Ag، Al، Cu.

دی الکتریک ها و اکسیدها:SiO2، TiO2، Ta2O5، Al2O3، HfO2، Nb2O5.

سازگاری بستر
ویفرهای نیمه هادی:سیلیکون 2 تا 8 اینچی، GaAs، یاقوت کبود.

بسترهای نوری:سیلیس ذوب شده، لنز/منشورهای BK7، Zerodur، ژرمانیوم و سلنید روی.

بسترهای انعطاف پذیر:فیلم‌های پلی‌آمید (از طریق رول‌های تخصصی-به- رول یا صفحه حامل).

لیزر اپتیک:ته نشین شدن پشته های دی الکتریک با آستانه آسیب{{0}کم-لیزر، بالا-آستانه-لیزر (LIDT) (TiO2/SiO2) برای آینه ها و پرتوهای پرقدرت{{4}.

نیمه هادی و میکروالکترونیک:رسوب فلز دروازه، تشکیل تماس اهمی، و فرآیندهای فلزی کردن{0}برداشتن برای دستگاه ها و حسگرهای مجزا.

اپتوالکترونیک:لایه‌های اکسید رسانای شفاف (TCO) و تبخیر کاتد فلزی برای ساخت OLED و سلول‌های فتوولتائیک.

هر محیط تولیدی دارای محدودیت های چیدمان و یکپارچه سازی منحصر به فردی است. اصلاحات مهندسی کارخانه عبارتند از:

هندسه محفظه ای:قرار دادن پورت های سفارشی برای-تشخیص درجا (به عنوان مثال، بیضی سنجی، SIMS، یا RHEED).

بارگیری{0}یکپارچه سازی قفل:بازوهای انتقال مغناطیسی خطی یا انتقال خودکار چنگال پنوماتیک برای اتصال با ابزارهای خوشه ای یا خطوط جعبه دستکش.

بایاس و گرمایش بستر:منبع تغذیه بایاس RF/DC برای رسوب{0}به کمک یون (IAD) و گرمایش بستر تا 800 درجه.

محلی سازی PLC و HMI:معماری های کنترلی زیمنس S7 یا آلن{1}برادلی PLC که با پروتکل های اتوماسیون کارخانه خاصی مطابقت دارند.

تست نشتی:قبل از مونتاژ، هر محفظه فولاد ضد زنگ جوش داده شده نشت طیف‌سنج جرمی هلیوم{0}}با حساسیت کمتر از 1 × 10-4 Pa·m³ در ثانیه آزمایش می‌شود.

تست عایق ولتاژ بالا-E{0}}منابع تغذیه تفنگ تحت آزمایش مقاومت دی الکتریک در ولتاژ نامی 1.5× به اضافه 1000 ولت به مدت 60 ثانیه قرار می گیرند.

آزمون پذیرش کارخانه (FAT):سیستم‌ها در آزمایش 72{1}}ساعت سوزاندن مداوم-، تأیید منحنی‌های سرعت پمپاژ، کالیبراسیون اسلحه الکترونیکی، و یکنواختی ضخامت لایه در سطح زیرلایه‌های آزمایشی قبل از بسته‌بندی می‌شوند.

بسته مستندات:کتابچه‌های راهنمای جامع شامل شماتیک‌های الکتریکی، نمودارهای P&ID، کدهای منبع PLC، برگه‌های اطلاعات ایمنی مواد، و گواهی‌های کالیبراسیون.

در{0}}خدمات سایت:مهندسان خدمات گواهی شده کارخانه، مونتاژ مکانیکی، اتصالات ابزار (آب خنک کننده، اگزوز، برق) و آزمایش پذیرش سایت (SAT) را انجام می دهند.

تشخیص از راه دور:ادغام امن روتر VPN امکان عیب یابی از راه دور، بهینه سازی پارامترها و به روز رسانی نرم افزار را توسط مهندسان ارشد فرآیند فراهم می کند.