PVD کامپوزیت رسوب گذاری خلاء تجهیزات

PVD کامپوزیت رسوب گذاری خلاء تجهیزات

جزئیات
این پلت‌فرم رسوب‌گذاری خلاء کامپوزیت PVD، چندین تکنیک رسوب‌گذاری را در یک محیط محفظه واحد ادغام می‌کند تا لایه‌های نازک فلزی، آلیاژی یا دی‌الکتریک یکنواخت، چند لایه‌ای-را رسوب دهد. معماری‌های استاندارد، پردازش دسته‌ای را برای زیرلایه‌های تا 400 میلی‌متر در 400 میلی‌متر، با هندسه‌های محفظه سفارشی برای رول-به-رول کردن یا جابجایی اجزای سه‌بعدی در دسترس دارند.
طبقه بندی محصول
تجهیزات لایه نازک کامپوزیت PVD
 
ارسال درخواست
شرح
پارامترهای فنی

این پلت‌فرم رسوب‌گذاری خلاء کامپوزیت PVD، چندین تکنیک رسوب‌گذاری را در یک محیط محفظه واحد ادغام می‌کند تا لایه‌های نازک فلزی، آلیاژی یا دی‌الکتریک یکنواخت، چند لایه‌ای-را رسوب دهد. معماری‌های استاندارد، پردازش دسته‌ای را برای زیرلایه‌های تا 400 میلی‌متر در 400 میلی‌متر، با هندسه‌های محفظه سفارشی برای رول-به-رول کردن یا جابجایی اجزای سه‌بعدی در دسترس دارند.

 

مشخصات فنی

 

پارامتر

استاندارد مشخصات

ارتقاء اختیاری / محدوده سفارشی

فشار پایه نهایی

< 5.0 x 10^-5 Pa

< 1.0 x 10^-6 Pa (Cryopump configuration)

پمپ-زمان خاموشی

< 15 min (To 1.0 x 10^-3 Pa)

تا 8 دقیقه با توربو{1}}ادغام مولکولی

مواد اتاقک

فولاد ضد زنگ 304L (الکترو-جلا شده)

آسترهای محافظ داخلی 316L فولاد ضد زنگ

اندازه فیکسچر بستر

حامل تخت 300 میلی متر در 300 میلی متر

تا قطر 600 میلی متر یا درایوهای سیاره ای سفارشی

یکنواختی فیلم

+/- 3% در سطح زیرلایه استاندارد

+/- 1.5% با پوشش بهینه و چرخش بستر

منابع رسوب گذاری

2 x تبخیر حرارتی + 2 x کندوپاش مگنترون

حداکثر 6 پیکربندی منبع مختلط (RF/DC/Thermal)

منبع تغذیه

DC: 5kW; RF: 13.56 مگاهرتز، 3 کیلو وات

ژنراتورهای DC پالسی و فرکانس{0} متوسط ​​(MF).

 

ویژگی های کلیدی


ادغام چند منبع-:تبخیر حرارتی و کندوپاش مگنترون را در یک پمپ{0}}در یک چرخه پایین ترکیب می‌کند و از اکسیداسیون رابط جلوگیری می‌کند و زمان جابجایی را کاهش می‌دهد.


بسته-کنترل ضخامت حلقه:به طور مستقیم با سنسورهای میکروبالانس کریستال کوارتز (QCM) و سیستم های مانیتور نوری برای کنترل نرخ رسوب در زمان واقعی.


معماری اتاق مدولار:درگاه های فلنجی امکان تجهیز سریع منابع تبخیر اضافی یا تفنگ های یونی را بدون ماشینکاری مجدد بدنه محفظه اصلی فراهم می کنند.


قابلیت بایاس بستر:منبع تغذیه بایاس RF/DC تمیز کردن بمباران یونی را قبل از رسوب انجام می دهد و چسبندگی فیلم را روی لایه های فلزی و سرامیکی دشوار افزایش می دهد.


توالی فرآیندهای خودکار:مدیریت دستور العمل کنترل‌شده PLC، شیرهای دروازه، کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (MFC)، افزایش قدرت و فعال‌سازی شاتر را کنترل می‌کند تا تغییرات ناشی از اپراتور را حذف کند.

 

پیکربندی سیستم خلاء


زیرسیستم خلاء به گونه‌ای طراحی شده است که زمان چرخه را به حداقل برساند و بارهای خروجی از منابع مختلف را مدیریت کند:


پمپ های زبر و ریشه:پمپ‌های پیچ خشک، خطرات بازگرداندن روغن-را از بین می‌برند و الزامات کلاس 4 ایزو اتاق تمیز را برآورده می‌کنند.


پمپ‌های خلاء-بالا: Combination of magnetically levitated turbo-molecular pumps (slot speed >= 1600 L/s) و انجماد اختیاری برای ظرفیت پمپاژ آب{{1} بالا.


مانیتورینگ فشار:پیکربندی برد سنج دوگانه (سنج‌های پیرانی برای زبر کردن؛ سنج‌های یونیزاسیون/پنینگ برای خلاء زیاد) با سوپاپ‌های ایمنی قفل شده‌اند تا از آلودگی اتمسفر رشته‌ها جلوگیری کند.


تشخیص نشت:نشت هلیوم-تا آستانه کمتر از 1.0 x 10^-9 Pa·m^3/s قبل از پذیرش کارخانه بررسی شد.

 

سازگاری مواد تبخیر و بستر


مواد تبخیر:
فلزات:
Al، Cu، Ti، کروم، نیکل، طلا، نقره، پلاتین.


آلیاژها:اهداف NiCr، TiAl، فولاد ضد زنگ.


دی الکتریک ها / اکسیدها:SiO2، TiO2، Al2O3، ITO (از طریق کندوپاش واکنشی یا ادغام پرتو الکترونی).


سازگاری بستر:
ویفرهای نیمه هادی:
سیلیکون، GaAs تا 300 میلی متر.


بسترهای نوری:لنزهای شیشه ای نوری، کوارتز و یاقوت کبود.


پلاستیک مهندسی:PI، PET، PC از طریق مدیریت حرارتی دمای پایین-.


بسترهای فلزی:فویل های فلزی و قطعات فلزی مهر شده.

 

برنامه های کاربردی


اپتوالکترونیک:رسوب اکسیدهای رسانای شفاف (ITO) و لایه های ضد{0}}چند انعکاسی{{1} برای پانل های لمسی و پنجره های حسگر.


الکترونیک قدرت:ایجاد تماس‌های اهمی با مقاومت پایین و لایه‌های مانع بر روی سیلیکون و زیرلایه‌های نیمه‌رسانا با شکاف پهن-.


پوشش های کاربردی:پوشش‌های فلزی مقاوم و تزئینی-بر روی بست‌های صنعتی، ایمپلنت‌های پزشکی و سخت‌افزار مصرفی.

 

گزینه های سفارشی سازی


پیکربندی تجهیزات با محدودیت های تولیدی خاص سازگار است:


اندازه اتاقک:مقیاس‌بندی شده از واحدهای رومیزی R&D (مکعب 400 میلی‌متری) تا سیستم‌های تولید{1} با ظرفیت بالا (محفظه‌های استوانه‌ای/جعبه‌ای 1200 میلی‌متری).


بارگیری{0}یکپارچه سازی قفل:پیکربندی قفل-بارگیری دستی تکی یا دو{1}}بار محفظه-برای حفظ یکپارچگی خلاء بالا در منطقه رسوب اصلی در طول چرخه‌های بارگذاری مداوم.


مدیریت حرارتی:مراحل زیرلایه خنک‌شده، گرم شده با آب (تا 600 درجه) یا جداول خنک‌کننده بستر برودتی.


رابط کنترل:ادغام با شبکه های SCADA یا MES کارخانه از طریق پروتکل های SECS/GEM یا Modbus TCP.

 

کنترل کیفیت و تست کارخانه


هر واحد قبل از حمل و نقل تحت بررسی دقیق قرار می گیرد:


تست یکپارچگی خلاء:ممیزی تشخیص نشت طیف سنج جرمی هلیوم پیوسته 48 ساعته.


تست ایمنی الکتریکی:مقاومت عایق، مقاومت دی الکتریک و تست تداوم اتصال به زمین مطابق با دستورالعمل های ایمنی CE/UL.


اجرای خشک عملکردی:دوچرخه‌سواری خودکار 72 ساعته تمام کرکره‌های مکانیکی، کنترل‌کننده‌های جریان جرمی و ژنراتورهای برق.


اجرای پذیرش فرآیند:آزمایش پذیرش کارخانه (FAT) با استفاده از مواد هدف مشخص شده توسط مشتری-برای تأیید ثبات نرخ رسوب و یکنواختی ضخامت اجرا شد.

 

نصب و پشتیبانی فنی


بسته مستندات:محصولات مهندسی کامل شامل نمودارهای P&ID، شماتیک های الکتریکی، معماری منطق منبع PLC و کتابچه راهنمای تعمیر و نگهداری کاربر.


در{0}}راه اندازی سایت:مهندسان خدمات صحرایی بر نصب، اتصالات اتاق تمیز، اعتبارسنجی ابزار (آب خنک کننده، CDA، برق) و تست پذیرش سایت (SAT) نظارت می کنند.


آموزش اپراتور:دست‌های ساختاریافته-در آموزش‌های مربوط به تعمیر و نگهداری معمول، عیب‌یابی خلاء، و ویرایش دستور غذا برای مهندسان فرآیند.


در دسترس بودن قطعات یدکی:اجزای حیاتی (کیت های مهر و موم، آسترهای محافظ، رشته ها، کریستال های QCM) برای ارسال مستقیم ذخیره شده اند.

 

سوالات متداول

 

س: حداکثر دمای زیرلایه در طول یک چرخه رسوب گذاری استاندارد چقدر است؟

پاسخ: بدون سرمایش یا گرمایش فعال بستر، تشعشعات ناشی از منابع تبخیر حرارتی معمولاً دمای بستر را 30 تا 50 درجه افزایش می‌دهد. نگهدارنده‌های زیرلایه خنک‌شده با آب برای حفظ دمای زیر 40 درجه برای فیلم‌های پلیمری حساس به دما در دسترس هستند.

س: آیا سیستم می تواند در همان اجرا بین کندوپاش واکنشی و تبخیر حرارتی جابجا شود؟

ج: بله. مدیر دستور العمل PLC، تزریق گاز را از طریق کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (به عنوان مثال، O2 یا N2 برای فرآیندهای واکنشی) در کنار فعال‌سازی منبع تغذیه برای کاتدهای کندوپاش و افزایش جریان برای قایق‌های حرارتی هماهنگ می‌کند، که امکان انباشته شدن چند لایه را بدون شکستن خلاء فراهم می‌کند.

س: چه الزامات ابزاری برای پیکربندی اتاقک استاندارد مورد نیاز است؟

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC (+/- 10%), 50/60Hz; clean dry air (CDA) at 0.5 to 0.7 MPa for pneumatic valves; chilled cooling water supply (>= 30 L/min در دمای 15 تا 20 درجه؛ و خروجی اگزوز محلی برای اگزوزهای پمپ پشتیبان.

س: چگونه آلودگی متقابل بین منابع مختلف تبخیر{0}} مدیریت می شود؟

پاسخ: هر موقعیت منبع دارای کرکره‌های پنوماتیک جداگانه و محافظ‌های فیزیکی داخلی است. -فاصله بین منبع و محافظ جهتی مانع از تابش متقابل-مواد به منابع مجاور در طول-تبخیر همزمان یا چند{4}}مواد متوالی می‌شود.

 

تگ های محبوب: تجهیزات رسوب خلاء کامپوزیت pvd، تولید کنندگان تجهیزات رسوب خلاء کامپوزیت pvd چین، تامین کنندگان، کارخانه

ارسال درخواست
با ما تماس بگیریداگر سوالی دارید

شما می توانید از طریق تلفن، ایمیل یا فرم آنلاین زیر با ما تماس بگیرید. متخصص ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.

اکنون تماس بگیرید!