PVD Multi{0}}تجهیزات لایه نازک فرآیند

PVD Multi{0}}تجهیزات لایه نازک فرآیندی یک پلتفرم رسوب‌گذاری خلاء یکپارچه است که برای ترکیب چند تکنیک-ساخت لایه نازک-از جمله کندوپاش مگنترون RF/DC، تبخیر حرارتی و تبخیر پرتو الکترونی{3}در یک معماری بدون بخار طراحی شده است.

این سیستم آلودگی خلاء بین لایه‌های فرآیند متمایز را از بین می‌برد و لایه‌های پیچیده فلزی، دی‌الکتریک و نیمه‌هادی چند لایه را بدون قرار گرفتن در معرض محیط ممکن می‌سازد. پیکربندی شده برای خوشه‌های تحقیق و توسعه آزمایشگاهی یا تولید خط آزمایشی-، زیرلایه‌هایی با قطر تا 300 میلی‌متر یا حامل‌های سفارشی را در خود جای می‌دهد.

معماری خلاء مدولار:محفظه‌های فرآیند مستقل که از طریق دریچه‌های دروازه‌ای جفت می‌شوند، از آلودگی متقاطع- بین کندوپاش واکنشی و تبخیر خلاء بالا- جلوگیری می‌کنند.

در -انتقال بستر خلاء:بازوهای انتقال مغناطیسی یا خطی خلاء بالایی را حفظ می کنند (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

سریع-تغییر فلنج منبع:کاتدهای کندوپاش و بوته‌های پرتو الکترونیکی برای تعمیر و نگهداری سریع و جایگزینی هدف روی فلنج‌های استاندارد CF نصب می‌شوند.

تله گذاری برودتی پیشرفته:تله های سرد نیتروژن مایع یکپارچه و تله های Meissner فشار بخار آب باقیمانده در داخل محفظه را به حداقل می رساند.

-پایش ضخامت حلقه بسته:سنسورهای میکروبالانس کریستال کوارتز دوگانه (QCM) نرخ واقعی رسوب گذاری و بازخورد ضخامت زمانی را ارائه می‌کنند که مستقیماً با تنظیم منبع تغذیه مرتبط است.

مرحله خشن کردن:پمپ‌های اسکرول رایگان با روغن-با دمنده‌های ریشه چند مرحله‌ای جفت شده‌اند تا جریان برگشتی هیدروکربن را حذف کنند.

مرحله خلاء بالا:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s برای N2) و کرایوپمپ‌های اختیاری برای خروجی بخار آب{2}}.

تنظیم فشار:مانومترهای خازنی باراترون برای اندازه‌گیری فشار مطلق مستقل از گونه‌های گاز، همراه با دریچه‌های دریچه گاز خودکار برای کنترل دقیق فشار گاز فرآیند (0.1 Pa تا 10 Pa).

تشخیص نشت:نشت هلیوم-قبل از آزمایش پذیرش کارخانه (FAT) کمتر از 1×10^-9 Pa*m^3/s آزمایش شد.

اهداف رسانا:Au، Ag، Cu، Al، Ti، Cr، ITO، AZO، Mo، W، NiCr.

مواد دی الکتریک:SiO2، TiO2، Al2O3، Ta2O5، HfO2 (از طریق کندوپاش واکنشی یا e{7}}پرتو).

انواع بستر:
ویفرهای نیمه هادی (سیلیکون، آرسنید گالیم، فسفید ایندیم).

روکش های نوری (سیلیس ذوب شده، BK7، یاقوت کبود).

تارهای انعطاف پذیر و ورق های فلزی نازک (پلی آمید، فویل فولادی ضد زنگ).

اپتوالکترونیک:رسوب لایه‌های اکسید رسانای شفاف (TCO) و پشته‌های فیلتر نوری ضد بازتابی (AR).

ساخت دستگاه نیمه هادی:تشکیل تماس‌های اهمی، موانع شاتکی، لایه‌های بذر برای آبکاری الکتریکی، و موانع انتشار (Ti/TiN).

ساخت سنسور:کرنش سنج‌های فلزی نازک-، عناصر میکرو-گرمکن، و مبدل‌های پیزوالکتریک.

تحقیق و توسعه پیشرفته:سنتز لایه نازک چند لایه اکتشافی-برای اجزای محاسباتی کوانتومی و مواد جدید ذخیره انرژی.

هندسه محفظه ای:در حال گسترش ابعاد محفظه برای زیرلایه های دسته ای غیر استاندارد یا بزرگ.

یکپارچه سازی منبع:نسبت های تخصیص سفارشی بین تفنگ های کندوپاش مگنترون و پاکت های تبخیر پرتو الکترونی.

سوگیری کندوپاش:گزینه های بایاس RF/DC بستر برای تراکم لایه و کنترل تنش.

Load-ادغام قفل:افزودن محفظه‌های بار خودکار -برای حفظ یکپارچگی خلاء بالا در طول چرخه‌های بارگذاری بالا{1}}.

قابلیت ردیابی مواد:گواهی‌های آزمایش آسیاب (MTC) برای همه اجزای خلاء{0}} فولاد ضد زنگ و قاب‌های سازه‌ای ارائه شده است.

مونتاژ اتاق تمیز:ادغام نهایی و تأیید تعداد ذرات{0}}در محیط اتاق تمیز ISO کلاس 6 انجام شد.

تست پذیرش کارخانه (FAT):72{1}}ساعت آزمایش پخت مداوم خلاء، آزمایش نشت از طریق طیف‌سنجی جرمی تجزیه‌کننده گاز باقی‌مانده (RGA)، و رسوب‌گذاری فیلم پایه برای تأیید یکنواختی ضخامت.

راهنمای آماده سازی سایت:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 لیتر در دقیقه)، هوای فشرده، خطوط گاز فرآیند (Ar، O2، N2 با خلوص 99.999٪)، و نیازهای بار الکتریکی (3 فاز 380V/480V).

راه اندازی:در{0}}نصب، کالیبراسیون خلاء، و آزمایش مشترک-در محل توسط مهندسان خدمات صحرایی کارخانه انجام می‌شود.

آموزش اپراتور:آموزش ساختاریافته 5-روزه در محل که شامل تعمیر و نگهداری معمول، پروتکل های ایمنی خلاء، برنامه نویسی دستور العمل و عیب یابی اولیه می شود.